特許
J-GLOBAL ID：201303009615860641

撮像装置及び撮像システム

発明者：
小野 俊明

小野 俊明 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042342
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145905
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】遮光領域の画素から読み出すべき黒レベルの基準信号に含まれるノイズを低減する。【解決手段】撮像装置は、遮光された画素が配された遮光領域と遮光されていない画素が配された有効領域とを含む画素配列を備え、前記遮光された画素は、第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第1の電荷電圧変換部と、前記第1の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第1の増幅トランジスタとを含み、前記遮光されていない画素は、第2の光電変換部と、前記第2の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第2の電荷電圧変換部と、前記第2の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第2の増幅トランジスタとを含み、前記第1の増幅トランジスタのゲート容量は、前記第2の増幅トランジスタのゲート容量より大きい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
遮光された画素が配された遮光領域と遮光されていない画素が配された有効領域とを含む画素配列を備え、 前記遮光された画素は、 第1の光電変換部と、 前記第1の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第1の電荷電圧変換部と、 前記第1の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第1の増幅トランジスタと、 を含み、 前記遮光されていない画素は、 第2の光電変換部と、 前記第2の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第2の電荷電圧変換部と、 前記第2の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第2の増幅トランジスタと、 を含み、 前記第1の増幅トランジスタのゲート容量は、前記第2の増幅トランジスタのゲート容量より大きい ことを特徴とする撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/361
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 610
Fターム (21件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD08 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB09 ,  4M118GD03 ,  5C024CX32 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ37 ,  5C024GZ39 ,  5C024HX12 ,  5C024HX17 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM