特許
J-GLOBAL ID:201303009666492230
低雑音指数および電圧可変利得を有する電力増幅器
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
岡部 讓
, 吉澤 弘司
, 三山 勝巳
, ▲濱▼口 岳久
, 川崎 孝
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-505437
公開番号(公開出願番号):特表2013-526169
出願日: 2011年04月18日
公開日(公表日): 2013年06月20日
要約:
本発明の目的は、直列に取り付けられた、ソース接地の低電圧MOSFETトランジスタと、それに続く、高い降伏電圧を有するベース接地のバイポーラ・トランジスタとを備えたカスコード増幅段を備える、可変利得を有する低雑音指数の増幅器である。バイポーラ・トランジスタのコレクタとカスコード段のMOSFETトランジスタのグリッドの間に抵抗が配置され、カスコード段はチョークを介して給電される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
カスコード増幅段を備える、低雑音指数および可変利得を有する集積された増幅器であって、前記カスコード増幅段が、直列接続された、
- ソース接地の低電圧MOSFETトランジスタと、それに続く
- 前記MOSFETトランジスタの降伏電圧より少なくとも2倍高い降伏電圧を有するベース接地のバイポーラ・トランジスタと、
- 前記バイポーラ・トランジスタのコレクタと前記カスコード段のMOSFETトランジスタのグリッドの間に配置された抵抗とを備え、
- 前記カスコード段がチョークを介して給電される増幅器。
IPC (4件):
H03F 1/22
, H03G 3/12
, H03G 3/10
, H04B 1/18
FI (4件):
H03F1/22
, H03G3/12 A
, H03G3/10 D
, H04B1/18 C
Fターム (31件):
5J100AA02
, 5J100BA04
, 5J100BB01
, 5J100CA28
, 5J100CA29
, 5J100EA02
, 5J100FA02
, 5J500AA01
, 5J500AA13
, 5J500AC33
, 5J500AC42
, 5J500AF15
, 5J500AH02
, 5J500AH10
, 5J500AH25
, 5J500AH29
, 5J500AH33
, 5J500AK12
, 5J500AK34
, 5J500AM17
, 5J500AS13
, 5J500AT01
, 5K062AA01
, 5K062AB06
, 5K062AD04
, 5K062AD08
, 5K062BB02
, 5K062BB09
, 5K062BB15
, 5K062BC01
, 5K062BD02
引用特許:
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