特許
J-GLOBAL ID:201303009666492230

低雑音指数および電圧可変利得を有する電力増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  川崎 孝
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-505437
公開番号(公開出願番号):特表2013-526169
出願日: 2011年04月18日
公開日(公表日): 2013年06月20日
要約:
本発明の目的は、直列に取り付けられた、ソース接地の低電圧MOSFETトランジスタと、それに続く、高い降伏電圧を有するベース接地のバイポーラ・トランジスタとを備えたカスコード増幅段を備える、可変利得を有する低雑音指数の増幅器である。バイポーラ・トランジスタのコレクタとカスコード段のMOSFETトランジスタのグリッドの間に抵抗が配置され、カスコード段はチョークを介して給電される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
カスコード増幅段を備える、低雑音指数および可変利得を有する集積された増幅器であって、前記カスコード増幅段が、直列接続された、 - ソース接地の低電圧MOSFETトランジスタと、それに続く - 前記MOSFETトランジスタの降伏電圧より少なくとも2倍高い降伏電圧を有するベース接地のバイポーラ・トランジスタと、 - 前記バイポーラ・トランジスタのコレクタと前記カスコード段のMOSFETトランジスタのグリッドの間に配置された抵抗とを備え、 - 前記カスコード段がチョークを介して給電される増幅器。
IPC (4件):
H03F 1/22 ,  H03G 3/12 ,  H03G 3/10 ,  H04B 1/18
FI (4件):
H03F1/22 ,  H03G3/12 A ,  H03G3/10 D ,  H04B1/18 C
Fターム (31件):
5J100AA02 ,  5J100BA04 ,  5J100BB01 ,  5J100CA28 ,  5J100CA29 ,  5J100EA02 ,  5J100FA02 ,  5J500AA01 ,  5J500AA13 ,  5J500AC33 ,  5J500AC42 ,  5J500AF15 ,  5J500AH02 ,  5J500AH10 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK12 ,  5J500AK34 ,  5J500AM17 ,  5J500AS13 ,  5J500AT01 ,  5K062AA01 ,  5K062AB06 ,  5K062AD04 ,  5K062AD08 ,  5K062BB02 ,  5K062BB09 ,  5K062BB15 ,  5K062BC01 ,  5K062BD02
引用特許:
審査官引用 (10件)
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