特許

J-GLOBAL ID：201303009930795858

導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法

発明者： 近藤 剛史 ,  川合 敏光 ,  河合 武司
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (1件)： 秦 正則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-089921
公開番号（公開出願番号）：特開2013-166692
出願日： 2013年04月23日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】大面積化が期待できる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板、及び化学気相成長法で導電性ダイヤモンド膜を形成するにあたり、基板温度を例えば250〜300°Cといった低温領域としても、核生成速度が速く、粒子密度も高いダイヤモンド膜を得ることができる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板に対する前処理として基板上にダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布しており、基板温度が250°C程度として合成されるにもかかわらず、基板上での導電性ダイヤモンド膜の合成が効率よく進行し、低耐熱性材料で構成された基板に対するダイヤモンド膜の形成技術として使用することができる。また、本発明の導電性ダイヤモンド膜が形成された基板は、大面積化が期待できるため、大面積の導電性ダイヤモンド膜が形成された電池、電解装置、センサー等を低コストで提供することができる。【選択図】図16A

請求項（抜粋）：

基板上に、水溶性増粘剤を0.01〜1.0質量%含有するダイヤモンドナノ粒子分散水溶液を塗布した後、基板温度を250°C以上として、化学気相成長法により、前記基板上に導電性ダイヤモンド膜を合成することを特徴とする導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/06

FI (4件)：

C30B29/04 E ,  C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C01B31/06 A

Fターム (35件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EE05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA40 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4G146BC45 ,  4G146BC47 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ダイヤモンド膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-123920   出願人：信越化学工業株式会社
• ダイヤモンド電極およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-263613   出願人：松下電器産業株式会社
• 電子放出素子及びその製造方法、及びそれを用いた電子放出源並びに蛍光体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298272   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭素膜被覆部材およびその製造方法並びに炭素膜被覆部材を応用した工具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-157422   出願人：株式会社神戸製鋼所