特許
J-GLOBAL ID：201303010139797489
結晶軸傾斜膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-148274
公開番号（公開出願番号）：特開2013-014806
出願日： 2011年07月04日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間を短縮し、膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】ターゲット10に正対する位置から基板表面20に平行な方向にずらした位置に基板20を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面20a上に結晶軸傾斜膜のシード層21を形成するシード層形成工程と、形成したシード層21の表面を平坦化する平坦化工程と、ターゲット10に正対する位置に基板20を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層21の表面上に、シード層21と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層23を形成する成長層形成工程とを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ターゲット(10)にスパッタ現象を生じさせ、ターゲット(10)の被スパッタ粒子を基板(20)の表面(20a)に衝突させるスパッタ法により、前記基板表面(20a)上に前記基板表面の法線方向に対して結晶軸が傾斜した結晶軸傾斜膜を製造する結晶軸傾斜膜の製造方法であって、
ターゲット(10)に正対する位置から前記基板表面(20a)に平行な方向にずらした位置に前記基板(20)を配置した斜め入射スパッタ法により、前記基板表面(20a)上に前記結晶軸傾斜膜のシード層(21)を形成するシード層形成工程と、
前記シード層(21)の表面を平坦化する平坦化工程と、
ターゲット(10)に正対する位置に前記基板(20)を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化された前記シード層(21)の表面上に、前記シード層(21)と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層(23)を形成する成長層形成工程と、
を有することを特徴とする結晶軸傾斜膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 41/39
, H01L 41/18
C23C14/34 R
, C23C14/34 J
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101Z
4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB07
, 4K029CA05
, 4K029CA15
, 4K029DA12
, 4K029DC05
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029KA01
