特許

J-GLOBAL ID：201303010848153803

ダイのための制御エリアはんだ接合

発明者： マーク・エスクリッジ
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  竹内 茂雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-048932
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191847
出願日： 2013年03月12日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】ダイ応力を低減するため、接合エリア、厚さ、形状等を正確に制御するはんだ接合方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスを製作する方法は、基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、そのパターンは、基板118の表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、はんだ材料がスタッドバンプ110によって取り囲まれるようにはんだ材料120を接合エリアに置くステップとを含む。はんだ材料は、はんだ材料が接合エリア内で流れ始める温度まで加熱される。ダイ130の接合面は、はんだ材料が接合エリア内のスタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でスタッドバンプ上に押し付けられる。はんだ材料は次いで、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために固化される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、前記パターンは、前記基板の前記表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、 はんだ材料が前記スタッドバンプによって取り囲まれるように前記はんだ材料を前記接合エリアに置くステップと、 前記はんだ材料が前記接合エリア内で流れ始める温度まで前記はんだ材料を加熱するステップと、 前記はんだ材料が前記接合エリア内の前記スタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、前記スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でダイの接合面を前記スタッドバンプ上に押し付けるステップと、 スタッドバンプの前記パターンの前記幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために前記はんだ材料を固化させるステップと を含む、半導体デバイスを製作する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L21/52 D ,  H01L21/92 602N ,  H01L21/92 604J

Fターム (8件)：

5F047AA00 ,  5F047AB06 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06 ,  5F047BA12 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19 ,  5F047BB16