特許

J-GLOBAL ID：201303011395053612

パターン形成膜のエッチング条件の評価方法

発明者： 五十嵐 慎一 ,  吉川 博樹 ,  稲月 判臣 ,  金子 英雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-252970
公開番号（公開出願番号）：特開2013-109099
出願日： 2011年11月18日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好なエッチング条件を見出すことができるパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供する。【解決手段】透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件を、フォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C1)と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C2)とを測定し、両者のクリアタイム比(C1/C2)により評価する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C1)と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C2)とを測定し、両者のクリアタイム比(C1/C2)により、パターン形成膜のエッチング条件を評価することを特徴とするパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。

IPC (2件)：

G03F 1/68 ,  G03F 1/54

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  G03F1/08 G

Fターム (3件)：

2H095BB01 ,  2H095BB16 ,  2H095BC05