その場バリア酸化法と構成

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-112730
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251544
出願日： 2013年05月29日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】ゲートとチャネル間の界面におけるトラップが低減された、エンハンスメントモードの窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ、集積回路(IC)装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガリウム(Ga)と窒素(N)を含み、基板102上に配置されたバッファ層104と、アルミニウム(Al)と窒素(N)を含んでバッファ層104上に配置され、酸化部分110を備えたバリア層106と、バリア層106の酸化部分110上に配置されたゲート誘電体118bと、ゲート誘電体118b上に配置されたゲート電極118aと、を備え、バリア層106の酸化部分110は、ゲート電極118aとバッファ層104間のゲート領域に配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガリウム(Ga)と窒素(N)を含み、基板上に配置されたバッファ層と、アルミニウム(Al)と窒素(N)を含んで前記バッファ層上に配置され、酸化部分を備えたバリア層と、前記バリア層の前記酸化部分上に配置されたゲート誘電体と、前記ゲート誘電体上に配置されたゲート電極と、を備え、前記バリア層の前記酸化部分は、前記ゲート電極と前記バッファ層間のゲート領域に配置されていることを特徴とする装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/316 S

Fターム (63件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF54 , 5F058BF60 , 5F058BF62 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR03 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC15 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA10 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF43 , 5F140BH30 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK33 , 5F140CC08 , 5F140CD08 , 5F140CE02

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