特許
J-GLOBAL ID:201303011707119411
その場バリア酸化法と構成
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-112730
公開番号(公開出願番号):特開2013-251544
出願日: 2013年05月29日
公開日(公表日): 2013年12月12日
要約:
【課題】ゲートとチャネル間の界面におけるトラップが低減された、エンハンスメントモードの窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ、集積回路(IC)装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガリウム(Ga)と窒素(N)を含み、基板102上に配置されたバッファ層104と、アルミニウム(Al)と窒素(N)を含んでバッファ層104上に配置され、酸化部分110を備えたバリア層106と、バリア層106の酸化部分110上に配置されたゲート誘電体118bと、ゲート誘電体118b上に配置されたゲート電極118aと、を備え、バリア層106の酸化部分110は、ゲート電極118aとバッファ層104間のゲート領域に配置されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ガリウム(Ga)と窒素(N)を含み、基板上に配置されたバッファ層と、
アルミニウム(Al)と窒素(N)を含んで前記バッファ層上に配置され、酸化部分を備えたバリア層と、
前記バリア層の前記酸化部分上に配置されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に配置されたゲート電極と、を備え、
前記バリア層の前記酸化部分は、前記ゲート電極と前記バッファ層間のゲート領域に配置されていることを特徴とする装置。
IPC (6件):
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/316
FI (3件):
H01L29/80 H
, H01L29/78 301B
, H01L21/316 S
Fターム (63件):
5F058BA20
, 5F058BB01
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD10
, 5F058BF02
, 5F058BF07
, 5F058BF54
, 5F058BF60
, 5F058BF62
, 5F058BJ01
, 5F058BJ04
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR03
, 5F102GR04
, 5F102GS04
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102HC15
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA06
, 5F140BA09
, 5F140BA10
, 5F140BA16
, 5F140BA17
, 5F140BB06
, 5F140BB18
, 5F140BC12
, 5F140BD05
, 5F140BD07
, 5F140BD11
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF05
, 5F140BF07
, 5F140BF43
, 5F140BH30
, 5F140BJ04
, 5F140BJ05
, 5F140BJ07
, 5F140BJ11
, 5F140BJ15
, 5F140BJ17
, 5F140BK13
, 5F140BK20
, 5F140BK33
, 5F140CC08
, 5F140CD08
, 5F140CE02
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