特許
J-GLOBAL ID：201303011800911834
ケイ素含有ブロックコポリマーならびに合成方法および使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-500214
公開番号（公開出願番号）：特表2013-528664
出願日： 2011年03月17日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
本発明は、ケイ素含有モノマー及びコポリマーの合成について記載される。モノマーであるトリメチル-(2-メチレンブタ-3-エニル)シラン(TMSI)の合成及びポリスチレン-ブロック-ポリトリメチルシリルイソプレンを生成する、スチレンとのジブロックコポリマーのその後の合成、並びにジブロックコポリマーであるポリスチレン-ブロック-ポリメタクリルオキシメチルトリメチルシラン又はPS-b-P(MTMSMA)の合成。これらのケイ素含有ジブロックコポリマーは、様々な用途を有する。1つの好ましい応用は、リソグラフィ用の100nm以下のフィーチャーを有する新規のインプリントテンプレート材料としての応用である。
請求項（抜粋）：
表面上にナノ構造を形成する方法であって、
a.ポリスチレン-ブロック-ポリメタクリルオキシメチルトリメチルシランコポリマー及び表面を準備するステップと;
b.前記表面上に前記ブロックコポリマーをスピンコーティングして被覆表面を作製するステップと;
c.ナノ構造が前記表面上に形成されるような条件下で前記被覆表面を処理するステップと;
d.前記ナノ構造を含む被覆表面をエッチングするステップと
を含む方法。
IPC (3件)：
C08J 7/02
, H01L 21/027
, B05D 3/04
C08J7/02 A
, H01L21/30 502D
, B05D3/04 Z
4D075AC64
, 4D075BB66Z
, 4D075BB69Z
, 4D075DA06
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075EB14
, 4D075EB22
, 4D075EB43
, 4F073AA06
, 4F073BA34
, 4F073BB02
, 4F073EA01
, 4F073EA23
, 4F073EA64
, 4F073GA01
, 5F146AA32
