特許
J-GLOBAL ID：201303012430138657
透明導電性フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
楠本 高義
, 中越 貴宣
, 三雲 悟志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080111
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225507
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】二酸化ケイ素などのコーティング層を片面に有するフィルム基材と、フィルム基材のコーティング層上に形成された透明導体パターンと、透明導体パターンを埋設する充填材料を有する視認されにくい透明導電性フィルムを提供する。【解決手段】透明導電性フィルム10は、フィルム基材11と、フィルム基材11上に形成された透明導体パターン12と、透明導体パターン12を埋設する粘着剤層13を備える。透明導体パターン12は、フィルム基材11側から、第1のインジウムスズ酸化物層14と、第2のインジウムスズ酸化物層15が積層された2層構造を有する。第1のインジウムスズ酸化物層14の酸化スズ含有量は、第2のインジウムスズ酸化物層15の酸化スズ含有量より多い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フィルム基材と、前記フィルム基材上に形成された透明導体パターンと、前記透明導体パターンを埋設するように前記フィルム基材上に形成された粘着剤層を備えた透明導電性フィルムであって、
前記透明導体パターンは、前記フィルム基材側から、第1のインジウムスズ酸化物の結晶質層と、第2のインジウムスズ酸化物の結晶質層が、この順に積層された2層構造を有し、
前記第1のインジウムスズ酸化物の結晶質層の酸化スズ含有量は、前記第2のインジウムスズ酸化物の結晶質層の酸化スズ含有量より多く、
前記第1のインジウムスズ酸化物の結晶質層の厚さは前記第2のインジウムスズ酸化物の結晶質層の厚さより薄く、
前記第2のインジウムスズ酸化物の結晶質層の厚さと前記第1のインジウムスズ酸化物の結晶質層の厚さの差は2nm〜10nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。
IPC (4件)：
H01B 5/14
, B32B 7/02
, G06F 3/041
, C01G 19/00
H01B5/14 A
, B32B7/02 104
, G06F3/041 330A
, G06F3/041 330D
, C01G19/00 A
, G06F3/041 350C
4F100AA17B
, 4F100AK03A
, 4F100AK25C
, 4F100AK41A
, 4F100AK45A
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100EH66B
, 4F100EJ01B
, 4F100JG01B
, 4F100JN01C
, 4F100JN18C
, 5B068AA22
, 5B068BB08
, 5B068BC08
, 5B068BC13
, 5B087AB04
, 5B087CC14
, 5B087CC16
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC08
