特許
J-GLOBAL ID：201303012648774350
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 司朗
, 小林 国人
, 川畑 孝二
, 木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-258453
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115160
出願日： 2011年11月28日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】n型半導体層とp型半導体層の間にギャップを設けた半導体素子によって良好な発光素子を提供する。【解決手段】第1基板10に下部電極2、n型半導体層3を順次形成する。n型半導体層3の表面に局所的に複数のスペーサ6をMgO薄膜で形成する。第2基板10‘の表面に上部電極(透明電極)5とp型半導体層4を形成する。n型半導体層3とp型半導体層4とを、スペーサ6を介して接合することで、両半導体層3、4の間にギャップspを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、
前記n型半導体層の表面に対し、局所的に形成されたスペーサと、
前記スペーサの上面に積層されたp型半導体層とを有し、
前記スペーサを介して前記n型半導体層と前記p型半導体層が接合されることで、前記両半導体層の間にギャップが形成されている
半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA40
, 5F041CA03
, 5F041CA12
, 5F041CA41
, 5F041CA88
, 5F041FF06
, 5F141AA40
, 5F141CA03
, 5F141CA12
, 5F141CA41
, 5F141CA88
, 5F141FF06
