特許
J-GLOBAL ID：201303013119937615
半導体装置用ボンディングワイヤ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
内藤 俊太
, 田中 久喬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170489
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232693
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】 本発明は、ボール部の形成性、接合性を改善し、ループ制御性も良好であり、ウェッジ接続の接合強度を高め、工業生産性にも確保し、金ワイヤよりも安価な銅を主体とするボンディングワイヤを提供することを目的とする。【解決手段】 銅を主成分とする芯材と、該芯材の上に芯材と異なる組成の導電性金属の表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の主成分が、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀又はニッケルから選ばれる1種以上であり、前記表皮層内にワイヤ径方向に主成分金属の少なくとも1種と銅の濃度勾配を有する領域が存在し、前記表皮層の表面側に、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀又はニッケルの2種以上を0.1mol%以上の均一濃度で含有する合金の最表領域が存在することを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
銅を主成分とする芯材と、該芯材の上に芯材と異なる組成の導電性金属の表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の主成分が、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀又はニッケルから選ばれる2種以上であり、前記表皮層内にワイヤ径方向に主成分金属又は銅の一方又は双方の濃度勾配を有する部位が存在することを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F044FF02
, 5F044FF06
, 5F044FF10
