特許
J-GLOBAL ID：201303013196561296
マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池田 憲保
, 福田 修一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011057766
公開番号（公開出願番号）：WO2011-122608
出願日： 2011年03月29日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
露光装置にセットしたときの透光性基板の表面形状をシミュレーションにより算出し、フォトレジスト付きのマスクブランクに転写パターンを描画する際に、表面形状のシミュレーション結果を利用して転写パターンを補正し、補正された転写パターンを描画する。 シミュレーション工程において、透光性基板の表面形態、材質及びサイズと、透光性基板の主表面に当接する領域を含むマスクステージの形状情報とに基づき、透光性基板を露光装置にセットしたときにおける複数の前記測定点の基準面からの高さ情報をシミュレーションし、シミュレーション工程で得た複数の前記測定点の基準面からの高さ情報を4次、5次又は6次曲面に近似し、得られた近似曲面を表す多項式の各項に係る係数である係数情報を透光性基板と対応付けて記憶する。
請求項（抜粋）：
主表面が精密研磨された透光性基板を準備する準備工程と、
主表面の実測領域内に設定された複数の測定点について、基準面を基準とした主表面の高さ情報をそれぞれ測定してチャック前主表面形状を取得する形状測定工程と、
前記透光性基板を露光装置のマスクステージにチャックしたときにおける前記複数の測定点の前記基準面を基準とした主表面の高さ情報であるチャック後主表面形状をシミュレーションにより得るシミュレーション工程と、
前記チャック後主表面形状を基に近似曲面を算出する近似曲面算出工程と、
前記近似曲面の情報を前記透光性基板と対応付けて記録装置に記録する記録工程と
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/60
, G03F 1/50
, H01L 21/027
G03F1/60
, G03F1/50
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC28
