特許
J-GLOBAL ID：201303013788877288
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
田下 明人
, 立石 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002744
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084987
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】遮断配線30と一側接続配線40および他側接続配線50とを含めた配線パターンと異なる領域に形成されたエッチングレジストを除去して、一側接続配線40および他側接続配線50に相当する導体層上のエッチングレジスト29における両側の側縁が遮断配線30に相当する導体層上のエッチングレジスト29における両側の側縁となだらかに連続し接続対象に向かうにつれて徐々に広がるようにエッチングレジスト29を残した基板を、エッチング液に浸漬する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
過電流による発熱に応じて溶断した場合に接続対象との接続を遮断する遮断配線が、接続配線を介して前記接続対象に接続されて基板上に形成される配線基板の製造方法であって、
前記遮断配線および前記接続配線を構成するための導体層が設けられた基板を用意する第1工程と、
前記導体層上にエッチングレジストを形成する第2工程と、
前記エッチングレジストのうち、前記遮断配線および前記接続配線を含めた配線パターンと異なる領域に形成されたエッチングレジストを除去して、前記接続配線に相当する前記導体層上の前記エッチングレジストにおける側縁が前記遮断配線に相当する前記導体層上の前記エッチングレジストにおける側縁となだらかに連続し前記接続対象に向かうにつれて徐々に広がるように前記エッチングレジストを残す第3工程と、
前記エッチングレジストが形成されていない前記導体層を除去するためのエッチング液に前記基板を浸漬する第4工程と、
前記浸漬後の前記基板から前記エッチングレジストを除去する第5工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5E338AA16
, 5E338BB75
, 5E338CC07
, 5E338CD14
, 5E338CD33
, 5E338EE12
, 5E339AB01
, 5E339AD01
, 5E339BC02
, 5E339BE13
, 5E339CD01
, 5E339CE11
, 5E339CF16
, 5E339CF17
, 5E339GG10
