特許
J-GLOBAL ID：201303014080774175
半導体装置及びその製造方法並びにその半導体装置を用いたスーパーヘテロダイン方式の通信機
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283248
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114142
特許番号：特許第4966949号
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられた第1導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に設けられた第2導電型の第3の半導体層と、
該第3の半導体層上に設けられ、開口部を有する第1の絶縁膜と、
前記開口部内に設けられた第1導電型の第4の半導体層と、
前記第4の半導体層上に設けられた第1導電型の第5の半導体層と
を具備して成り、
前記第4の半導体層の不純物濃度は前記第5の半導体層よりも小さく、
前記第4の半導体層は前記第1の絶縁膜の側壁に接しないように形成され、
少なくとも前記第4の半導体層と前記第1の絶縁膜とで囲まれた空洞を有する
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/737 ( 200 6.01)
, H01L 21/331 ( 200 6.01)
