特許
J-GLOBAL ID:201303014105112156
疎水性シリカの調製方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 小林 良博
, 出野 知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-083250
公開番号(公開出願番号):特開2013-139389
出願日: 2013年04月11日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
【課題】疎水性シリカ粒子及びその調製方法を提供する。【解決手段】本発明は、(1)約0.4以上のT2:T3比(ここで、T2は-56ppm〜-59ppmの範囲に中心があるCP/MAS29Si NMRスペクトルにおける化学シフトを有するピークの強度であり、T3は-65ppm〜-69ppmの範囲に中心があるCP/MAS29Si NMRスペクトルにおける化学シフトを有するピークの強度である)、及び(2)約0.05超の(T2+T3)/(T2+T3+M)比(ここで、Mは+7ppm〜+18ppmの範囲に中心があるCP/MAS29Si NMRスペクトルにおける化学シフトを有するピークの強度である)を有する疎水性の表面処理されたシリカ粒子を提供する。本発明は、疎水性の表面処理されたシリカ粒子の調製方法をさらに提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(a)シリカの酸性水性分散体を準備する工程、
(b)該分散体をアルコキシシラン化合物と組み合わせて反応混合物を得る工程、及び
(c)該反応混合物を乾燥して疎水性シリカ粒子を得る工程
を含む、疎水性シリカ粒子の調製方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C01B33/18 C
, G03G9/08 381
Fターム (23件):
2H500BA27
, 2H500CA34
, 2H500CB12
, 4G072AA25
, 4G072BB05
, 4G072DD05
, 4G072DD06
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH18
, 4G072HH28
, 4G072HH30
, 4G072JJ23
, 4G072LL11
, 4G072MM14
, 4G072MM31
, 4G072MM32
, 4G072QQ07
, 4G072TT30
, 4G072UU08
, 4G072UU09
, 4G072UU11
, 4G072UU30
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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