炭化珪素半導体素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081906
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211467
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】ウェハダイシングとそれに引き続くダイシングテープからのピックアップ後にも剥離を生ずることのない炭化珪素半導体素子を提供する。【解決手段】炭化珪素基板上に、Niからなる薄層及びTiからなる薄層を堆積した後のシンタリングによって形成されたNi2SiおよびTiCから成る薄膜が、TiCが表面に析出する構造となっており、さらにこのTiC表面に、第一の薄膜としてTi、第二の薄膜としてNiを含む多層薄膜が形成された構造を有し、前記TiCからなる層と前記Ti層との界面においてTiC由来のC組成比を15%以上とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板上に、Niからなる薄層及びTiからなる薄層を堆積した後のシンタリングによって形成されたNi2SiおよびTiCから成る薄膜が、TiCが表面に析出する構造となっており、さらにこのTiC表面に第一の薄膜としてTi、第二の薄膜としてNiを含む多層薄膜が形成された構造を有し、前記TiCからなる層と前記Ti層との界面においてTiC由来のC組成比が15%以上であることを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/28 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 652L , H01L29/78 658F , H01L21/28 301S

Fターム (19件)：

4M104AA03 , 4M104BB21 , 4M104BB34 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD23 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104DD88 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104HH08

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-110002 出願人：富士電機システムズ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-167401 出願人：株式会社デンソー, ユニバーシテイ・オブ・ニユーキヤツスル
SiC半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-004177 出願人：富士電機株式会社

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