特許

J-GLOBAL ID：201303015353964785

光導波路および光導波路の製造方法

発明者： 三浦 貴光
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 高城 政浩 ,  中野 稔 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-156289
公開番号（公開出願番号）：特開2013-026254
出願日： 2011年07月15日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：

【課題】 絶縁物からなる断熱層パターン上に良好な結晶性の光導波路を形成する。【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン2上に、断熱層パターン2から露出した基板1上の半導体結晶面1Aを核としたエピタキシャル成長により、埋込層3を形成する。断熱層パターン2上には、埋込層3が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン2が埋め込まれる。断熱層パターン2上にエピタキシャル成長によって埋込層3が形成できるので、断熱層パターン2上に半導体結晶からなる光導波路10を形成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、前記半導体基板上の半導体結晶面の一部を露出する断熱層パターンを形成する第1工程と、 前記露出した半導体結晶面を核としたエピタキシャル成長により、前記断熱層パターン上面を埋め込む埋込層を形成する第2工程と、 前記断熱層パターン上に位置する前記埋込層上にエピタキシャル成長により、光導波路を形成する第3工程と、 前記光導波路上に前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部を形成する第4工程と、 を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/026 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01S5/12 ,  H01S5/026 618 ,  H01S5/026 650 ,  H01L21/205

Fターム (14件)：

5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F173AB13 ,  5F173AB46 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AR06 ,  5F173AR71