特許
J-GLOBAL ID：201303015520328888
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368296
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243975
特許番号：特許第4869464号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の回路と第2の回路を有する半導体装置において、
前記第1の回路は第1のnチャネル型薄膜トランジスタを有し、
前記第2の回路は第2のnチャネル型薄膜トランジスタを有し、
前記第1のnチャネル型薄膜トランジスタは、第1の島状半導体層上にゲート絶縁膜を有し、前記ゲート絶縁膜上に導電層から成る第1のゲート電極を有し、
前記第2のnチャネル型薄膜トランジスタは、第2の島状半導体層上に前記ゲート絶縁膜を有し、前記ゲート絶縁膜上に前記導電層から成る第2のゲート電極を有し、
前記第1の島状半導体層は、
第1のチャネル形成領域と、一導電型の第1の不純物領域と、一導電型の第3の不純物領域と、
前記第1のチャネル形成領域と前記一導電型の第1の不純物領域とに挟まれた一導電型の第2の不純物領域と、
前記第1のチャネル形成領域と前記一導電型の第3の不純物領域とに挟まれた一導電型の第4の不純物領域と、を有し、
前記第2の島状半導体層は、
第2のチャネル形成領域と、一導電型の第5の不純物領域と、一導電型の第7の不純物領域と、
前記第2のチャネル形成領域と前記一導電型の第5の不純物領域とに挟まれた一導電型の第6の不純物領域と、
前記第2のチャネル形成領域と前記一導電型の第7の不純物領域とに挟まれた一導電型の第8の不純物領域と、を有し、
前記一導電型の第2の不純物領域は、前記第1のゲート電極と重なっている第1の領域と、前記第1のゲート電極と重ならない第2の領域とを有し、
前記一導電型の第4の不純物領域は、前記第1のゲート電極と重なっている第1の領域と、前記第1のゲート電極と重ならない第2の領域とを有し、
前記一導電型の第6の不純物領域は、前記第2のゲート電極と重なっている第1の領域と、前記第2のゲート電極と重ならない第2の領域とを有し、
前記一導電型の第8の不純物領域は、前記第2のゲート電極と重なり、
前記一導電型の第2の不純物領域、前記一導電型の第4の不純物領域、前記一導電型の第6の不純物領域、及び前記一導電型の第8の不純物領域の不純物元素の濃度は1×1016〜1×1019atoms/cm3であり、
前記一導電型の第1の不純物領域、前記一導電型の第3の不純物領域、前記一導電型の第5の不純物領域、及び前記一導電型の第7の不純物領域の不純物元素の濃度は1×1019〜1×1021atoms/cm3であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/136
, H01L 29/78 612 B
