特許

J-GLOBAL ID：201303016340414901

半導体回路の露光方法及び露光装置

発明者： 五来 亮平
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-091138
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243354
出願日： 2013年04月24日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】パターン転写精度の高い半導体回路の露光方法、および露光装置を提供する。【解決手段】本発明は、EUV光を回路パターン領域が形成されている第一の反射型マスクに照射した後、遮光枠領域が形成されている第二の反射型マスクを介して、回路パターン領域と遮光枠領域を投影光学系により半導体基板に転写することから、回路パターン領域と遮光枠領域を分けて異なるマスクに形成するため、遮光枠領域を形成する際に多層反射層の掘り込みによって発生する加工面からのパーティクルが回路パターン領域に付着することを防止できる。本発明の露光装置および露光方法を用いることで、半導体回路の品質低下を抑えることが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

EUV光源からのEUV光が反射光学系を介して第一の反射型マスクに照射され、該第一の反射型マスクに照射された後、第二の反射型マスクを介して、第一の反射型マスクに形成されているマスクパターンと第二の反射型マスクに形成されているマスクパターンを半導体基板に転写することを特徴とする半導体回路の露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/24 ,  G03F 7/20

FI (5件)：

H01L21/30 531M ,  H01L21/30 531A ,  G03F1/24 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502C

Fターム (17件)：

2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H095BB14 ,  2H095BB25 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F146AA12 ,  5F146GA03 ,  5F146GA12 ,  5F146GA21 ,  5F146GA28 ,  5F146GD15 ,  5F146GD17 ,  5F146GD20 ,  5F146GD23 ,  5F146GD24