特許

J-GLOBAL ID：201303016667150142

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 知治
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085716
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219083
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】簡易な構造で可動イオンによる耐電圧特性の変動を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子が形成されているアクティブ領域20と、アクティブ領域20の外周側に備えられる電界緩和領域50と、電界緩和領域50の少なくとも一部を被覆する、炭素六員環ネットワークを有する炭素材料粒子60aと絶縁性樹脂60bとを含む樹脂膜60と、を備えるようにする。こうすることで、絶縁性樹脂60bに発生しうる可動性イオン等90が素子に対する影響が抑制された、耐電圧特性の変動が抑制された半導体装置10となっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、 半導体素子が形成されているアクティブ領域と、 前記アクティブ領域の外周側に備えられる電界緩和領域と、 前記電界緩和領域の少なくとも一部を被覆する、炭素六員環ネットワークを有する炭素材料粒子と絶縁性樹脂とを含む樹脂膜と、 を備える、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/312

FI (9件)：

H01L29/78 658J ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/312 A ,  H01L21/312 B

Fターム (10件)：

5F058AA10 ,  5F058AC01 ,  5F058AC02 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AH03