特許
J-GLOBAL ID:201303016748315847

金属ベース回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-026819
公開番号(公開出願番号):特開2013-165136
出願日: 2012年02月10日
公開日(公表日): 2013年08月22日
要約:
【課題】アルミニウム基板表面を安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる金属ベース回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の金属ベース回路基板の製造方法は、アルミニウム基板を分子内にヒドロキシ基を有するカルボン酸溶液に0.5分間〜10分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程とを有する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
アルミニウム基板を分子内にヒドロキシ基を有するカルボン酸溶液に0.5分間〜10分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法。
IPC (1件):
H05K 3/44
FI (1件):
H05K3/44 A
Fターム (9件):
5E315AA03 ,  5E315BB03 ,  5E315BB14 ,  5E315BB15 ,  5E315BB18 ,  5E315CC14 ,  5E315CC15 ,  5E315GG05 ,  5E315GG14

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