半導体発光ダイオード素子及び半導体発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-144078
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211598
出願日： 2013年07月10日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光ダイオード素子及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第2半導体層の側の第1主面を有する積層構造体と、第1主面上において第1及び第2半導体層とそれぞれ接続された第1電極及び反射性の第2電極と、前記第2電極の一部と前記第2半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第2電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第2電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第1主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1部分と、第1方向において前記第1部分と並ぶ第2部分と、を含む第1半導体層と、前記第1方向と交差する方向において前記第2部分と離間する第2半導体層と、前記前記第2部分と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第2半導体層の側の第1主面を有する積層構造体と、前記積層構造体の前記第1主面側に設けられ、前記第1半導体層の前記第1部分に接続された第1電極と、前記積層構造体の前記第1主面側に設けられ、前記第2半導体層に接続され、前記発光層から発光する光に対して反射性を有する第2電極と、前記第2電極の一部と前記第2半導体層との間に設けられ、前記光に対して透光性を有する絶縁層であって、前記第2電極と重なる領域を含み、前記第2半導体層と前記第2電極とのオーミック接触領域を制限して電流を狭窄する絶縁層と、を備え、前記第1主面は矩形であり、前記第1電極は、前記第1主面の外縁に沿って前記第2電極の周りに設けられ、前記第1電極のうちの前記第1主面のコーナー部に位置する部分の幅は、前記第1主面の辺部に位置する幅よりも広く、前記第2電極の外側の縁端は、前記辺部よりも前記コーナー部において前記第1主面の中心部側に位置し、前記第1主面の外縁から前記第2電極の外側の縁端までの距離は、前記辺部よりも前記コーナー部において長く、前記絶縁層の前記第2電極と重なる前記領域における前記第2電極の前記外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記コーナー部よりも、前記辺部において長く、前記第2半導体層と前記絶縁層とが重なる幅は、前記辺部よりも前記第1主面の中心部側に位置している前記コーナー部において、前記辺部よりも短いことを特徴とする半導体発光ダイオード素子。

IPC (4件)：

H01L 33/38 , H01L 33/50 , H01L 33/20 , H01L 33/40

FI (4件)：

H01L33/00 210 , H01L33/00 410 , H01L33/00 170 , H01L33/00 220

Fターム (34件)：

5F141AA03 , 5F141AA09 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA13 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA73 , 5F141CA74 , 5F141CA76 , 5F141CA92 , 5F141CA93 , 5F141CA98 , 5F141CB04 , 5F141CB15 , 5F142BA32 , 5F142BA34 , 5F142CA01 , 5F142CA11 , 5F142CD02 , 5F142CD18 , 5F142CE02 , 5F142CE06 , 5F142CE08 , 5F142CE13 , 5F142CG05 , 5F142DA02 , 5F142DA22 , 5F142DA35 , 5F142DA73 , 5F142DB02 , 5F142FA12 , 5F142FA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-021126 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-021126 出願人：日亜化学工業株式会社

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