特許
J-GLOBAL ID：201303017371198723
光電素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畠山 文夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-052345
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187429
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】少なくともCu、Zn及びSnを含む化合物からなる光吸収層を備えた光電素子において、Cuの拡散に起因する電極と光吸収層の界面における主にZnSからなる層や空孔の生成を抑制すること、及び、これらに起因する直列抵抗Rsの増大及び/又はFFの減少を抑制し、あるいは、開放端電圧Vocを増大させる製造方法を提供する。【解決手段】電極の上に、MoとCuとを含むCu:Mo層を形成する。次いで、前記Cu:Mo層の上に、少なくともCu、Zn及びSnを含むプリカーサ層を形成する。さらに、前記プリカーサ層を熱処理することによって、少なくともCu、Zn及びSnを含む化合物からなる光吸収層を生成させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
電極の上に、MoとCuとを含むCu:Mo層を形成し、
前記Cu:Mo層の上に、少なくともCu、Zn及びSnを含むプリカーサ層を形成し、
前記プリカーサ層を熱処理することによって、少なくともCu、Zn及びSnを含む化合物からなる光吸収層を生成させる
ことにより得られる光電素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F151AA10
, 5F151CB29
, 5F151CB30
