特許

J-GLOBAL ID：201303017531296565

単結晶製造装置およびそれを用いた単結晶製造方法

発明者： 秋元 克弥
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064870
公開番号（公開出願番号）：特開2013-193942
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】良質な単結晶インゴットを高い歩留まりで育成するための単結晶製造装置、およびそれを用いた単結晶製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置は、るつぼ内に収容した原料融液から単結晶インゴットを成長させるための単結晶製造装置であって、前記単結晶インゴットを成長させる際の前記単結晶インゴットの成長方向の先にある前記るつぼの面よりも外側に配設されるヒータと、前記るつぼの面と前記ヒータとの間に配設される断熱材と、前記るつぼの外周に配設され前記るつぼをるつぼ軸方向で全てカバーし、かつ一方の端部が前記ヒータと熱的に接続される導熱部材と、前記導熱部材の温度を制御するための気体を該導熱部材の外周に沿って流通させる機構とを具備することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

るつぼ内に収容した原料融液から単結晶インゴットを成長させるための単結晶製造装置であって、 前記単結晶インゴットを成長させる際の前記単結晶インゴットの成長方向の先にある前記るつぼの面よりも外側に配設されるヒータと、 前記るつぼの面と前記ヒータとの間に配設される断熱材と、 前記るつぼの外周に配設され前記るつぼの側面をるつぼ軸方向で全てカバーし、かつ一方の端部が前記ヒータと熱的に接続される導熱部材と、 前記導熱部材の温度を制御するための気体を該導熱部材の外周に沿って導入する機構とを具備することを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (4件)：

C30B 15/14 ,  C30B 11/00 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/42

FI (4件)：

C30B15/14 ,  C30B11/00 Z ,  C30B27/02 ,  C30B29/42

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EG20 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077PA13 ,  4G077PE02 ,  4G077PE12 ,  4G077PE14