特許
J-GLOBAL ID：201303017680385660

スパッタリング装置及び薄膜製造方法

発明者：
森本 直樹

森本 直樹 について

, 
近藤 智保

近藤 智保 について

, 
長嶋 英人

長嶋 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270880
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080962
特許番号：特許第4703828号
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空槽と、 前記真空槽内に配置されたターゲットと、 前記真空槽内で前記ターゲットに対向して配置され、基板が載置される基板台と、 前記ターゲットと前記基板台の間に位置する空間をスパッタリング粒子が飛行する飛行空間としたときに、前記飛行空間の前記ターゲット側の部分を取り囲むアノード電極と、 前記飛行空間の前記アノード電極と前記基板台との間の部分を取り囲む接地電極とを有し、 前記真空槽と前記接地電極は接地電位に接続され、 前記基板台はウェハステージ上に配置され、 前記ウェハステージには負のバイアス電圧を印加できるようにバイアス電源が接続され、 前記アノード電極には正電圧を印加できるように構成されたスパッタリング装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H05H 1/46 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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