特許
J-GLOBAL ID：201303017795049671
半導体ポリマー電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-594166
特許番号：特許第4743968号
出願日： 1999年12月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)絶縁体層、この絶縁層は電気絶縁体であり、第一の側面と第二の側面を有している、
(b)ゲート、このゲートは電気導体であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されている、
(c)半導体層、この半導体層はポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt%は9-置換フルオレノ単位及び9,9-置換フルオレノ単位より選ばれ、該ポリマーはさらに以下の式(II)、(III)及び(IV)から選ばれるアミン単位を含み、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の末端を有し、この半導体層の第二の側面は絶縁体層の第二の側面と隣接している、
(d)ソース、このソースは電気導体であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触している、
(e)ドレーン、このドレーンは電気導体であり、半導体の第二の末端と電気的に接触している、
を含む電界効果トランジスタ。
(上式中、R3は独立に、カルボキシル、C1-20アルキル、C1-20アルコキシ、又は式-CO2R4(R4はC1-20アルキルである)の基であり、bは独立に0〜3の整数である)
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, C08G 61/00 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, C08G 61/00
, H01L 29/28
