特許
J-GLOBAL ID：201303017861924554
光電変換素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-063598
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197354
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】特性低下の発生を抑制しつつ容易に短時間で特性検査する。【解決手段】基板1上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体を積層して光電変換層を形成する工程と、光電変換層を形成した基板1の下面に裏面電極20を形成する工程と、裏面電極20を形成した基板1の下面に、複数の開口部39および粘着性を有するシート30を貼り付ける工程とを備える。また、シート30を貼り付けた基板1を複数の光電変換素子に分割するためにダイシングする工程と、測定用プローブ41,42を互いに分割された複数の光電変換素子の各々の上方およびシートの開口部39を通過させて下方から接触させることにより、複数の光電変換素子の特性を測定する工程と、上記測定する工程の後、複数の光電変換素子をシート30から剥離させる工程とを備える。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体を積層して光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層を形成した前記基板の下面に裏面電極を形成する工程と、
前記裏面電極を形成した前記基板の下面に、複数の開口部および粘着性を有するシートを貼り付ける工程と、
前記シートを貼り付けた前記基板を複数の光電変換素子に分割するためにダイシングする工程と、
測定用プローブを互いに分割された前記複数の光電変換素子の各々の上方および前記シートの前記開口部を通過させて下方から接触させることにより、前記複数の光電変換素子の特性を測定する工程と、
前記測定する工程の後、前記複数の光電変換素子を前記シートから剥離させる工程と
を備える、光電変換素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
前のページに戻る
