特許
J-GLOBAL ID：201303018312598250

表面処理剤及び表面処理方法

発明者：
大橋 卓矢

大橋 卓矢 について

, 
菅原 まい

菅原 まい について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086726
公開番号（公開出願番号）：特開2013-177537
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】基板表面がフッ酸により処理されている場合であっても、基板表面の材質がシリコンである基板を高度に疎水化でき、かつ、基板表面の材質がTiN又はSiNである場合であっても高度に疎水化することのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供すること。【解決手段】基板表面の疎水化処理に使用される表面処理剤に、ジメチルアミノ基を有する特定の構造のモノシラン化合物又はビスシラン化合物を含有させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板表面の疎水化処理に使用され、下記式(1)又は(2)で表される化合物を含む表面処理剤。 R1aSi[N(CH3)2]4-a・・・(1) (式(1)において、R1は、それぞれ独立に、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜18の直鎖又は分岐鎖脂肪族炭化水素基であり、anは1又は2である。) R2b[N(CH3)2]3-bSi-R4-SiR3c[N(CH3)2]3-c・・・(2) (式(2)において、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1〜4の直鎖又は分岐鎖アルキル基であり、R4は炭素数1〜16の直鎖又は分岐鎖アルキレン基であり、b及びcはそれぞれ独立に0〜2の整数である。)
IPC (2件)：
C09K 3/18 ,  C07F 7/10
FI (2件)：
C09K3/18 104 ,  C07F7/10 C
Fターム (11件)：
4H020BA34 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ39 ,  4H049VR21 ,  4H049VR23 ,  4H049VR51 ,  4H049VR53 ,  4H049VU21 ,  4H049VW01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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