特許
J-GLOBAL ID：201303018343807850
フォトマスクの検査方法及び検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-104981
公開番号（公開出願番号）：特開2013-218339
出願日： 2013年05月17日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】LSIやTFT-LCD等の製造において、TFT等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】描画機のステージ10上に配置された場合のフォトマスクブランク13の表面形状の変形を高さ測定手段12で測定し、描画データ作成手段15により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に薄膜からなる転写パターンを有するフォトマスクを検査するフォトマスクの検査方法であって、
前記フォトマスクを、前記転写パターンを有する面を上側にしてステージに載置する工程と、
前記ステージ上の前記フォトマスクの上側の面の高さ分布を測定することによってマスク面高さ分布データを得る工程と、
前記ステージ上の前記フォトマスクの前記転写パターンの形状を測定してパターン測長データを得る工程と、
予め取得した前記フォトマスクの膜面形状データと、前記マスク面高さ分布データとを用いて前記転写パターンのパターン測長データ、又は前記転写パターンの設計描画データを補正する工程と、
を有するフォトマスクの検査方法。
IPC (3件)：
G03F 1/84
, H01L 21/66
, H01L 21/027
G03F1/84
, H01L21/66 J
, H01L21/30 516A
2H095BD03
, 2H095BD04
, 2H095BD24
, 2H095BD28
, 4M106AA09
, 4M106BA04
, 4M106BA20
, 4M106CA11
, 4M106CA39
, 4M106CA70
, 4M106DJ20
, 4M106DJ38
, 5F146BA07
, 5F146CA03
, 5F146DA13
