特許

J-GLOBAL ID：201303018494893848

半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法

発明者： 吉田 一弘
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (2件)： 平川 明 ,  高田 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121044
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247284
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：

【課題】半導体ウェハの欠陥を撮像する際のフォーカシングの精度及びスループットの両立を図る。【解決手段】半導体装置の検査装置は、半導体ウェハの欠陥の位置座標を含む領域内におけるパターンの密度を算出する算出手段と、算出されたパターンの密度に応じたフォーカシング条件を選択する選択手段と、選択されたフォーカシング条件によってフォーカシングを行う撮像手段と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの欠陥の位置座標を含む領域内におけるパターンの密度を算出する算出手段と、 前記算出されたパターンの密度に応じたフォーカシング条件を選択する選択手段と、 前記選択されたフォーカシング条件によってフォーカシングを行う撮像手段と、 を備えることを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/22 ,  H01J 37/21

FI (4件)：

H01L21/66 J ,  H01J37/28 B ,  H01J37/22 502H ,  H01J37/21 B

Fターム (8件)：

4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB20 ,  4M106DB30 ,  5C033MM03 ,  5C033MM07 ,  5C033UU05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-126242
  
• 特開昭63-126242