特許
J-GLOBAL ID：201303018525350970

プラズマ処理装置

発明者：
北島 次雄

北島 次雄 について

, 
石原 保正

石原 保正 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-176006
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041872
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器12、ガス供給部44、下部電極14、及び、上部電極40を備えている。処理容器12は、処理空間Sを画成している。ガス供給部44は、処理空間S内に処理ガスを供給する。下部電極14は、処理空間Sの下方に設けられている。上部電極40は、処理空間Sの上方に設けられており、当該上部電極40には耐プラズマ性を有する被覆層40bが形成されている。当該被覆層40bの表面は研磨されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理空間を画成する処理容器と、 前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、 前記処理空間の下方に設けられた下部電極と、 前記処理空間の上方に設けられた上部電極であって、耐プラズマ性を有する被覆層が形成された該上部電極と、 を備え、 前記被覆層の表面が研磨されている、プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/302 101L ,  H05H1/46 M
Fターム (8件)：
5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26
引用特許：
審査官引用 (3件)

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