特許

J-GLOBAL ID：201303018541866161

発光装置の製造方法

発明者： 白鳥 幸也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-124160
公開番号（公開出願番号）：特開2012-252863
出願日： 2011年06月02日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】色の有機EL素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、製造工程の簡易化を図りつつ、光取り出し効率を高める。【解決手段】青色発光素子U3のコンタクトホールの段差部分に対応する透明電極層15を補強するために、当該段差部分に補強用導電膜500を形成する。また、この補強用導電膜500の形成工程と同一工程において赤色発光素子U1および緑色発光素子U2の反射膜兼画素電極12を形成する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

いずれか二つの画素について基板上に光反射膜を形成する工程と、 光反射膜上に透明膜を形成する工程と、 前記透明膜上に透明電極層または半透過電極を形成する工程と、 前記半透過電極上に補強用導電膜を形成する工程と、 残りの一つの画素について基板上に基板側電極として機能する光反射膜を形成する工程と、 前記光反射膜および前記透明電極層または半透過電極上に発光層を形成する工程と、 前記発光層上に光取り出し側電極を形成する工程とを備え、 前記光反射層と光取り出し側電極の間の光路長を調整した共振構造を有するように、前記発光層の膜厚、または、透明膜、透明電極層、もしくは半透過電極の膜厚を調整する発光装置の製造方法であって、 前記透明電極層または半透過電極上に補強用導電膜を形成する工程と、残りの一つの画素について基板上に基板側電極として機能する光反射膜を形成する工程とは、同一の工程で行われる、 ことを特徴とする発光装置の製造方法。

IPC (9件)：

H05B 33/24 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/02 ,  G02B 5/20

FI (10件)：

H05B33/24 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 C ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/12 E ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/28 ,  H05B33/02 ,  G02B5/20 101

Fターム (29件)：

2H048BA02 ,  2H048BB02 ,  2H048BB41 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC07 ,  3K107CC09 ,  3K107CC14 ,  3K107CC45 ,  3K107DD03 ,  3K107DD10 ,  3K107DD11 ,  3K107DD22 ,  3K107DD23 ,  3K107DD27 ,  3K107DD37 ,  3K107DD44Y ,  3K107DD44Z ,  3K107DD45X ,  3K107DD71 ,  3K107DD84 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107EE22 ,  3K107EE33 ,  3K107FF06 ,  3K107FF13 ,  3K107GG28