特許

J-GLOBAL ID：201303018625098429

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 水上 大義 ,  東川 誠 ,  子林 景 ,  栗原 正典 ,  中島 毅士
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-018116
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157515
出願日： 2012年01月31日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】マイクロクラックがi型半導体層に発生すると、リーク電流が発生し、その結果、薄膜太陽電池の発電効率が低下する。【解決手段】薄膜太陽電池は、凹部と凸部との高低差が250nm以上1000nm以下である凹凸形状を有する下地層の上に設けられた光電変換層を備える。光電変換層は、p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とにより形成されるpin接合を有する。i型半導体層は、微結晶層を含む。p型半導体層とi型半導体層との間には、暗導電率が10-7S/cm以上10-5S/cm以下であるバッファ層が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹部と凸部との高低差が250nm以上1000nm以下である凹凸形状を有する下地層の上に設けられた光電変換層を備える薄膜太陽電池であって、 前記光電変換層は、p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とにより形成されるpin接合を有し、 前記i型半導体層は、微結晶層を含み、 前記p型半導体層と前記i型半導体層との間には、暗導電率が10-7S/cm以上10-5S/cm以下であるバッファ層が設けられている薄膜太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (31件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA05 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA09 ,  5F151CA16 ,  5F151CA22 ,  5F151CA24 ,  5F151CA34 ,  5F151CA35 ,  5F151CA36 ,  5F151CA37 ,  5F151DA04 ,  5F151DA17 ,  5F151DA18 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03