絶縁埋め込み層に帯電領域を有する基板

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-041959
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149991
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】低コストで1Tメモリの保持時間を増加することができる半導体構造を提供する。【解決手段】本発明は半導体構造であって、ベースウエハ(1)と、絶縁層(2)と、上端半導体層(3)と、イメージセンサーデバイスとを順次含み、絶縁層(2)は少なくとも電荷密度が絶対値で1010charges/cm2の領域を含むことを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ベースウエハ(1)と、絶縁層(2)と、上端半導体層(3)を順次含む基板と、前記上端半導体層(3)の上に、イメージセンサーデバイスとを含み、前記絶縁層(2)は少なくとも電荷密度が絶対値で1010charges/cm2の領域を含むことを特徴とする半導体構造。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/105 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L27/10 321 , H01L27/10 671C , H01L27/10 444A , H01L27/12 B

Fターム (13件)：

5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083FR05 , 5F083GA05 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA15 , 5F083PR00 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083ZA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-025807 出願人：ソニー株式会社
撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-388075 出願人：キヤノン株式会社
電界効果半導体装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-353232 出願人：ソニー株式会社

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