特許

J-GLOBAL ID：201303019052346054

エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法

発明者： 金 載 興 ,  權 鍾 午
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-172822
公開番号（公開出願番号）：特開2013-046064
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち1つのドーピング領域30にのみ連結された振動体32、34、振動体32、34に印加される入力信号が経由するPN接合ダイオード(第1ダイオード)、及び振動体32、34から出力される信号が経由するPN接合ダイオード(第2ダイオード)を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間60を含み、振動体32、34は、空間60に備えられてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層と、 前記単結晶シリコン層に内在し、前記複数のドーピング領域のうち1つのドーピング領域にのみ連結された振動体と、 前記振動体に印加される入力信号が経由するPN接合ダイオード(第1ダイオード)と、 前記振動体から出力される信号が経由するPN接合ダイオード(第2ダイオード)と、を含むエネルギー変換素子。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00

FI (5件)：

H01L27/04 G ,  H01L29/91 K ,  H01L27/04 C ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Fターム (19件)：

3C081AA01 ,  3C081BA22 ,  3C081BA30 ,  3C081BA42 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081CA15 ,  3C081CA40 ,  3C081DA03 ,  3C081EA21 ,  5F038AC03 ,  5F038AZ09 ,  5F038BG03 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20