特許

J-GLOBAL ID：201303019054924373

半導体基板内の埋込ボイドを検出するための方法

発明者： レオナルドゥス・レウニッセン ,  サンディップ・ハルダー ,  エリック・ベイネ
出願人/特許権者： アイメック
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-128825
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256889
出願日： 2012年06月06日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。【解決手段】構造を形成するための少なくとも1つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量M1を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量M2を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内又は基板上に形成された構造に存在する埋込ボイドを検出するための方法であって、 前記構造を形成するための、少なくとも1つの処理ステップP1を実施する工程と、 基板の質量M1を測定する工程と、 熱処理を実施する工程と、 基板の質量M2を測定する工程と、 前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、 前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (3件)：

H01L21/66 K ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 Z

Fターム (33件)：

4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA45 ,  4M106CA70 ,  4M106DH56 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX37