特許
J-GLOBAL ID:201303019079030725
電気光学装置及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-083628
公開番号(公開出願番号):特開2013-213899
出願日: 2012年04月02日
公開日(公表日): 2013年10月17日
要約:
【課題】異物などによって損傷し難い端子部と高い表示品質とを有する液晶装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置100は、一対の基板のうち素子基板10の層間絶縁膜16上に設けられた複数の画素電極15と、一対の基板を貼り合わせるシール材40と、シール材40が設けられたシール領域E3よりも外側に設けられた複数の外部接続用端子105と、画素領域Eの周辺領域E4とシール領域E3とに亘る第1ダミー領域E1において画素電極15と同層に設けられた第1ダミー電極15d1と、シール領域E3と複数の外部接続用端子105が設けられた端子領域E5との間の第2ダミー領域E2にいて画素電極15と同層にそれぞれ独立して設けられた複数の第2ダミー電極15d2と、複数の画素電極15と第1ダミー電極15d1と複数の第2ダミー電極15d2とを覆う絶縁膜17と、を備えた。【選択図】図6
請求項(抜粋):
一対の基板と、
前記一対の基板のうちの一方の基板の層間絶縁膜上に設けられた複数の画素電極と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一方の基板の前記シール材が設けられたシール領域よりも外側に設けられた複数の外部接続用端子と、
前記複数の画素電極が配置された画素領域の周辺領域と前記シール領域とに亘る第1ダミー領域において前記画素電極と同層に設けられた第1ダミー電極と、
前記シール領域と前記複数の外部接続用端子が設けられた端子領域との間の第2ダミー領域において前記画素電極と同層にそれぞれ独立して設けられた複数の第2ダミー電極と、
前記複数の画素電極と前記第1ダミー電極と前記複数の第2ダミー電極とを覆う絶縁膜と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
IPC (2件):
FI (3件):
G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
Fターム (14件):
2H092GA35
, 2H092GA43
, 2H092GA48
, 2H092GA50
, 2H092GA55
, 2H092GA59
, 2H092GA61
, 2H092JA24
, 2H092JA46
, 2H092JB58
, 2H092NA16
, 2H092NA19
, 2H092NA29
, 2H092PA04
引用特許:
前のページに戻る