特許

J-GLOBAL ID：201303019133759566

半導体受光装置

発明者： 山日 竜二 ,  堂本 新一
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-001470
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143403
出願日： 2012年01月06日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：

【課題】受光素子の端部と当該配線との間のリーク電流の発生を抑制でき、電極形成の障害を抑制することができる半導体受光装置を提供する。【解決手段】半導体受光装置は、メサ構造をなし、一導電型半導体領域25および反対導電型半導体領域27を有する受光素子20と、メサ構造を有する電極接続部30aと、受光素子20の前記メサ構造の上面における反対導電型半導体領域27に接続された電極と、受光素子20と電極接続部30aとの間を埋め込む樹脂膜70と、樹脂膜70上に形成され、受光素子20の前記電極から電極接続部30a上にまで延在する配線40aと、を備え、樹脂膜70は、受光素子20の前記メサ構造の上面周縁の領域に延在して設けられてなり、配線40aは前記延在した樹脂膜70上に設けられてなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メサ構造をなし、一導電型半導体領域および反対導電型半導体領域を有する受光素子と、 メサ構造を有する電極接続部と、 前記受光素子の前記メサ構造の上面における前記反対導電型半導体領域に接続された電極と、 前記受光素子と前記電極接続部との間を埋め込む樹脂膜と、 前記樹脂膜上に形成され、前記受光素子の前記電極から前記電極接続部上にまで延在する配線と、を備え、 前記樹脂膜は、前記受光素子の前記メサ構造の上面周縁の領域に延在して設けられてなり、前記配線は前記延在した樹脂膜上に設けられてなることを特徴とする半導体受光装置。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (2件)：

H01L31/10 H ,  H01L31/10 A

Fターム (4件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049QA02 ,  5F049SE09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• メサ型フォトダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-178985   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体受光素子及び光受信モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-363010   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118382   出願人：三菱電機株式会社
• 化合物半導体受光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-002417   出願人：株式会社日立製作所