特許

J-GLOBAL ID：201303019505548664

セラミック配線基板およびその製造方法

発明者： 桐木平 勇
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098879
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229379
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】 絶縁層の械的な強度を高く確保しながら、絶縁層の比誘電率を低減することが可能な、セラミック配線基板およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック焼結体からなる絶縁層1と、絶縁層1の上面に設けられた配線導体2とを備えるセラミック配線基板3であって、絶縁層1は、セラミック粒子4と中空のセラミック粒子5とがガラス成分6を介して焼結してなるセラミック焼結体からなり、中空のセラミック粒子5は、絶縁層1の上部分において下部分よりも多く含まれているセラミック配線基板3である。中空のセラミック粒子5によって絶縁層1の比誘電率が低減される。また、セラミック粒子4を含み、かつセラミック粒子4間に空隙を設ける必要がないため、絶縁層1の機械的な強度が高く確保できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミック焼結体からなる絶縁層と、 該絶縁層の上面に設けられた配線導体とを備えるセラミック配線基板であって、 前記絶縁層は、セラミック粒子と中空のセラミック粒子とがガラス成分を介して焼結してなるセラミック焼結体からなり、 前記中空のセラミック粒子は、前記絶縁層の上部分において下部分よりも多く含まれていることを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/03

FI (3件)：

H05K3/46 T ,  H05K1/03 610D ,  H05K3/46 H

Fターム (15件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346CC16 ,  5E346CC32 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346EE21 ,  5E346FF23 ,  5E346GG03 ,  5E346HH11