特許
J-GLOBAL ID:201303019568019963
半導体装置及び半導体装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-245686
公開番号(公開出願番号):特開2013-123041
出願日: 2012年11月07日
公開日(公表日): 2013年06月20日
要約:
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、当該電極間の間隙に島状の酸化物半導体層を成膜することで、酸化物半導体層の側面を配線で覆う構成とし、酸化物半導体層への側面からの光の侵入を抑制する。また、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層をマスクに不純物導入処理を行った後、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電層を設けることで、微細なチャネル長を維持しつつLov領域を形成するとともに、酸化物半導体層への上方からの光の侵入を抑制する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁表面上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙に、塗布法によって酸化物半導体層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体層の上面に接するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を形成し、
前記ゲート電極層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に位置する第1の側壁絶縁層及び第2の側壁絶縁層を形成し、
前記第1の側壁絶縁層及び前記第2の側壁絶縁層をマスクとして、前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に接する第1の導電層及び第2の導電層を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (8件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, G02F 1/136
, H01L 51/50
, H05B 33/14
FI (11件):
H01L29/78 617K
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 617L
, H01L29/78 616T
, H01L21/28 301B
, H01L29/58 G
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
Fターム (170件):
2H092GA29
, 2H092GA51
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA25
, 2H092JA29
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