特許
J-GLOBAL ID：201303019830424106
反応性DCスパッタ装置および成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 棚井 澄雄
, 五十嵐 光永
, 小室 敏雄
, 清水 雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-128081
公開番号（公開出願番号）：特開2013-234380
出願日： 2012年06月05日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】簡単な装置構成で、長時間に亘って成膜を安定に行うことができ、基板の損傷を抑えて良質な薄膜を形成できる反応性DCスパッタ装置および成膜方法を提供する。【解決手段】反応性DCスパッタ装置10は、ターゲット11と、ターゲット11に対向する基板保持部12と、ターゲット11の基板保持部12側に近接して設けられた環状のアノード電極13と、ターゲット11に接続されたパルスDC電源14と、成膜空間に不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスを供給するガス供給手段16Aとを備え、アノード電極13は、第1アパーチャ19と、該第1アパーチャ19の基板保持部12側に近接して積層された第2アパーチャ20とを有し、第2アパーチャ20は厚さ方向に貫通する複数の貫通孔20aを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
減圧容器と、該減圧容器内に収容されたターゲットと、該ターゲットに対向するように設けられた基板保持部と、前記ターゲットの前記基板保持部側に近接して設けられた環状のアノード電極と、前記ターゲットに接続されたDC電源と、前記ターゲットと前記基板保持部との間に不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記アノード電極が、前記ターゲット側に配された第1アパーチャと、該第1アパーチャの前記基板保持部側に近接して第1アパーチャを覆うように積層された第2アパーチャとを備え、前記第2アパーチャには該第2アパーチャをその厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されたことを特徴とする反応性DCスパッタ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4K029AA24
, 4K029BA44
, 4K029CA06
, 4K029DA12
, 4K029DC03
, 4K029DC28
, 4K029DC33
, 4K029DC34
