特許
J-GLOBAL ID：201303019932297052
半導体発光素子及びLEDモジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-284456
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140978
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】本発明は静電気放電(ESD)保護用ダイオードと一体化された構造を有して小型化が可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1及び第2導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、第1及び第2領域に区割りされた半導体積層体を含む。第1領域には活性層を経て第1導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも1つのコンタクト孔が形成される。少なくとも1つのコンタクト孔を通じて第1領域の第1導電型半導体層に連結され、且つ、第2領域の第2導電型半導体層に連結された第1電極が形成される。第1領域の第2導電型半導体層に連結された第2電極が形成される。第1及び第2電極パッドは第2領域の第1導電型半導体層と第2電極上に各々形成される。第1電極と電気的に連結されるように半導体積層体には電気的伝導性を有する支持基板が形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
相互に対向する第1及び第2主面を有し、各々前記第1及び第2主面を提供する第1及び第2導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝により第1及び第2領域に区割りされた半導体積層体と、
前記第1領域の第2主面から前記活性層を経て前記第1導電型半導体層の領域の一部に連結された少なくとも1つのコンタクト孔と、
前記半導体積層体の第2主面上に形成され、前記少なくとも1つのコンタクト孔を通じて前記第1領域の第1導電型半導体層に連結され、且つ、前記第2領域の第2導電型半導体層に連結された第1電極と、
前記第1領域の第2主面上に形成され、前記第1領域の第2導電型半導体層に連結された第2電極と、
前記第2領域の第1導電型半導体層に電気的に連結された第1電極パッドと、
前記第2電極に電気的に連結された第2電極パッドと、
前記第1電極と電気的に連結されるように前記半導体積層体の第2主面に形成される電気的伝導性を有する支持基板と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 150
, H01L33/00 400
5F141AA23
, 5F141CA04
, 5F141CA12
, 5F141CB11
, 5F141CB33
, 5F142AA36
, 5F142BA32
, 5F142CA02
, 5F142CB01
, 5F142CD02
