特許

J-GLOBAL ID：201303019932649285

パワーMOSFETの接合部温度の測定方法

発明者： クリストフ、オロウ ,  シュテファン、バルツ
出願人/特許権者： ツェットエフ、レンクジステメ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
代理人 (4件)： 勝沼 宏仁 ,  永井 浩之 ,  磯貝 克臣 ,  岡村 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062480
公開番号（公開出願番号）：特開2013-213819
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

【課題】MOSFETを有する部品であって、MOSFETの接合部温度の測定を可能にし、可能な限り少ない追加の接続部とする。【解決手段】自動車のステアリングサポートの駆動モータの制御のためのインバータのためのパワースイッチとしての部品が提供される。部品は、ゲート、ドレインおよびソースを有するMOSFET2と、アノードおよびカソードを有する第1のダイオード4と、を備えている。ダイオード4は、MOSFET2の接合部温度の測定のために設けられている。MOSFET2は、NチャネルタイプまたはPチャネルタイプのものであり、かつ、ソースは、カソードにつながれている。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

自動車のステアリングサポートの駆動モータの制御のためのインバータのためのパワースイッチとしての部品であって、 ゲート、ドレインおよびソースを有するMOSFET(2)と、 アノードおよびカソードを有し、MOSFET(2)の接合部温度の測定のために設けられた第1のダイオード(4)と、を備え、 前記MOSFET(2)は、NチャネルタイプまたはPチャネルタイプのものであり、かつ、前記ソースは、前記カソードにつながれていることを特徴とする、部品。

IPC (1件)：

G01K 7/01

FI (1件)：

G01K7/00 391S