特許

J-GLOBAL ID：201303020054381807

固体撮像装置とその製造方法、および電子機器

発明者： 宮波 勇樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 稲本 義雄 ,  西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-143581
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012556
出願日： 2011年06月28日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】半導体基板内の裏面側に高濃度の不純物領域を形成する裏面照射型の固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板17は、裏面側が光入射面とされ、表面側が回路形成面とされる。接続部23は、裏面側の半導体基板上で生成された信号電荷を半導体基板内に転送するコンタクトプラグ31と接続される接続部であって、裏面側の半導体基板の界面近傍に不純物濃度分布のピークを有する。半導体基板内には、1以上の光電変換部が形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

裏面側が光入射面とされ、表面側が回路形成面とされた半導体基板と、 前記裏面側の前記半導体基板上で生成された信号電荷を前記半導体基板内に転送するコンタクトプラグと接続される接続部であって、前記裏面側の前記半導体基板の界面近傍に不純物濃度分布のピークを有する接続部と、 前記半導体基板内に形成された1以上の第1光電変換部と を備える固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 E ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740

Fターム (20件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA14 ,  4M118CA24 ,  4M118CB20 ,  4M118DA33 ,  4M118DA34 ,  4M118DA40 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31