特許
J-GLOBAL ID：201303020085068279
半導体メモリ装置、このためのセットプログラム制御回路及びプログラム方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上田 邦生
, 藤田 考晴
, 川上 美紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-127159
公開番号（公開出願番号）：特開2013-114736
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】消去命令に応答してセットデータをプログラムできる半導体メモリ装置と、このためのセットプログラム制御回路及びプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、プログラミングイネーブル信号に応答して第1書き込み制御信号、第2書き込み制御信号及びプログラム完了信号を生成するプログラムパルス生成部と、消去命令及びプログラム完了信号に応答してセットプログラミングイネーブル信号を指定された回数だけ反復生成するセットプログラム制御回路と、消去命令に応答して第1書き込み制御信号をディスエーブルし、セットプログラミングイネーブル信号に応答してプログラミングイネーブル信号を生成するコントローラとを含むことができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
プログラミングイネーブル信号に応答して第1書き込み制御信号、第2書き込み制御信号及びプログラム完了信号を生成するプログラムパルス生成部と、
消去命令及び前記プログラム完了信号に応答してセットプログラミングイネーブル信号を指定された回数だけ反復生成するセットプログラム制御回路と、
前記消去命令に応答して前記第1書き込み制御信号をディスエーブルし、前記セットプログラミングイネーブル信号に応答して前記プログラミングイネーブル信号を生成するコントローラと、を備える半導体メモリ装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C13/00 150
, G11C13/00 110P
