特許

J-GLOBAL ID：201303020224024540

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 吉川 俊英
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-077624
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207245
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】バラツキのない安定した大きなドレイン電流を確保してデバイス性能を向上させ、確実なノーマリオフを実現する信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上に形成されたp型半導体層3と、p型半導体層3上に形成されたゲート電極9とを備えており、p型半導体層3は、ゲート電極9の両側にp-GaNの不活性元素であるMgが導入されており、Mgの導入部分が不活性化されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

化合物半導体積層構造と、 前記化合物半導体積層構造の上方に形成されたp型半導体層と、 前記p型半導体層の上方に形成された電極と を含み、 前記p型半導体層は、前記電極の両側に不活性元素が導入されており、前記不活性元素の導入部分が不活性化されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H02M 7/12 ,  H02M 7/537

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H02M7/12 Q ,  H02M7/537 E

Fターム (36件)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5H006AA02 ,  5H006CA02 ,  5H006CB08 ,  5H006CC02 ,  5H007AA06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12