特許

J-GLOBAL ID：201303020519424419

温度センサ及びその製造方法

発明者： 長友 憲昭 ,  稲場 均 ,  田中 寛
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076410
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205319
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】 TiAlNのサーミスタ材料層に対する電極構造において高温環境下でも高抵抗化し難く、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高い温度センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基材2と、該絶縁性基材上に形成された薄膜サーミスタ部3と、互いに対向した一対の対向電極部4aを薄膜サーミスタ部上に配して絶縁性基材上に形成された一対のパターン電極4とを備え、薄膜サーミスタ部が、TiAlNのサーミスタ材料で形成され、パターン電極が、薄膜サーミスタ部上に形成されたTiNの接合層5と、該接合層上に貴金属で形成された電極層6とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基材と、 該絶縁性基材上に形成された薄膜サーミスタ部と、 互いに対向した一対の対向電極部を前記薄膜サーミスタ部上に配して前記絶縁性基材上に形成された一対のパターン電極とを備え、 前記薄膜サーミスタ部が、TiAlNのサーミスタ材料で形成され、 前記パターン電極が、前記薄膜サーミスタ部上に形成されたTiNの接合層と、 該接合層上に貴金属で形成された電極層とを有していることを特徴とする温度センサ。

IPC (4件)：

G01K 7/22 ,  H01C 7/04 ,  H01C 17/06 ,  H01C 17/12

FI (5件)：

G01K7/22 A ,  G01K7/22 N ,  H01C7/04 ,  H01C17/06 P ,  H01C17/12

Fターム (14件)：

2F056QF01 ,  2F056QF07 ,  2F056QF10 ,  5E032AB10 ,  5E032BA14 ,  5E032BB10 ,  5E032CC14 ,  5E032CC18 ,  5E032DA15 ,  5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034BC20 ,  5E034DC09 ,  5E034DE16