特許
J-GLOBAL ID：201303020828961763
パターン形成方法及びパターン形成材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-003974
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143527
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：
【課題】反転層の高さの均一性を向上させ、反転マスクプロセスを用いて所望のパターンを形成する。【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、被加工膜上に酸を含む第1膜を形成する工程と、前記第1膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第2膜を形成する工程と、前記第1膜から前記第2膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第2膜の上層部を除去する工程と、前記第2膜の上層部の除去後に、前記第2膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第1膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、を備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上に酸を含む第1膜を形成する工程と、
前記第1膜上にインプリント処理によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの残渣層を除去する工程と、
前記残渣層の除去後に、前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第2膜を形成する工程と、
前記第1膜から前記第2膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、
酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第2膜の上層部を除去する工程と、
前記第2膜の上層部の除去後に、前記第2膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第1膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、
を備え、
前記第1膜は熱酸発生剤又は光酸発生剤を含み、
前記第2膜は、カチオン重合性ポリシラン、カチオン重合性ポリゲルマン、カチオン重合性ポリスタナン、カチオン重合性ポリシラザン、カチオン重合性ポリシロキサン、カチオン重合性ポリカルボシラン、カチオン重合性Si含有アクリルモノマー、カチオン重合性Si含有ノボラック樹脂、又はカチオン重合性Si含有PHS樹脂の少なくとも1つと、Si原子、N原子、Ge原子、Ga原子、Sn原子、Au原子、Ag原子、Al原子、Mg原子、Cu原子、Ta原子、又はW原子の少なくとも1つとを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/30 502D
, H01L21/30 573
, H01L21/30 502R
