特許
J-GLOBAL ID：201303020975643076
レーザ加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011066319
公開番号（公開出願番号）：WO2012-014709
出願日： 2011年07月19日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：
シリコンで形成された板状の加工対象物(1)に孔(24)を形成するためのレーザ加工方法であって、加工対象物(1)のレーザ光入射面側において該レーザ光入射面(3)に開口する凹部(10)を孔(24)に対応する部分に形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後、加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることにより、加工対象物(1)における孔(24)に対応する部分に沿って改質領域(7)を形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物(1)に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域(7)に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物(1)に孔(24)を形成するエッチング処理工程と、を備え、改質領域形成工程では、改質領域(7)又は該改質領域(7)から延びる亀裂(C)を凹部の内面に露出させることを特徴とするレーザ加工方法。
請求項（抜粋）：
シリコンで形成された板状の加工対象物に孔を形成するためのレーザ加工方法であって、
前記加工対象物のレーザ光入射面側において該レーザ光入射面に開口する凹部を前記孔に対応する部分に形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程の後、前記加工対象物にレーザ光を集光させることにより、前記加工対象物における前記孔に対応する部分に沿って改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程の後、前記加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、前記加工対象物に前記孔を形成するエッチング処理工程と、を備え、
前記改質領域形成工程では、前記改質領域又は該改質領域から延びる亀裂を前記凹部の内面に露出させるレーザ加工方法。
IPC (5件)：
C23F 1/02
, B23K 26/40
, B23K 26/06
, B23K 26/38
, C23F 1/24
C23F1/02
, B23K26/40
, B23K26/06 A
, B23K26/38 330
, C23F1/24
4E068AA01
, 4E068AF00
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068DA10
, 4E068DB11
, 4K057WA10
, 4K057WA13
, 4K057WB06
, 4K057WB17
, 4K057WC03
, 4K057WE21
, 4K057WE22
, 4K057WE30
, 4K057WN01
