特許
J-GLOBAL ID：201303021064132313
半導体アバランシェホトディテクタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
岡部 讓
, 岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 朝日 伸光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019497
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284633
特許番号：特許第4933698号
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アンドープの増幅層(14)と、
50-100nmの範囲の厚さを有するアンドープの光吸収層(16)と、
前記増幅層及び前記光吸収層に隣接して配置された第1のチャージ層(15)であって、InAlAs又はInPからなる前記第1のチャージ層(15)と、
200-400nmの範囲の厚さを有し、前記光吸収層から分離され、入射した光を前記光吸収層に結合することができるドープした導波路層(17)とを備え、
前記第1のチャージ層、光吸収層、及び増幅層は、厚さが300-500nmの範囲の領域(14、15、16)を形成することを特徴とする半導体アバランシェホトディテクタ(10)。
IPC (2件)：
H01L 31/107 ( 200 6.01)
, H01L 27/14 ( 200 6.01)
H01L 31/10 B
, H01L 27/14 J
, H01L 27/14 Z
